“底部电极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4759468个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自会聚底部电极环-CN200910167554.X有效
发明人：马修·J·布雷杜斯克;林仲汉;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商务机器公司
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种包括自会聚底部电极环的方法及内存单元。该方法包括在基底上形成阶梯间隔件、顶部绝缘层、中介绝缘层以及底部绝缘层。该方法包括在该顶部绝缘层和该中介绝缘层内形成阶梯间隔件。该阶梯间隔件的尺寸容易控制。该方法也包括在具有阶梯间隔件的底部绝缘层中形成通道以做为屏蔽。该方法包括在通道内形成包括该通道内的杯型外部导电层的底部电极环以及在该杯型外部导电层内形成内部绝缘层。该方法包括在该底部电极环上形成相变层以及在该底部电极环上形成顶部电极。
会聚底部电极

[实用新型]底部电极接触石墨舟-CN201120093937.X有效
发明人：冯银辉 -专利权人：石金精密科技（深圳）有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种底部电极接触石墨舟，包括电极接触孔，电极接触孔设置在石墨舟两端的底部。本实用新型提改变了现有的石墨舟电极接触方式，将石墨舟上与外部真空镀膜设备的电极接触的上、下电极接触孔均设置在石墨舟的底部，利用石墨舟的自重与外部电极接触，使石墨舟在与电极接触时各部位受力均匀，减少了对石墨舟的损坏
底部电极接触石墨

[发明专利]含MTJ器件的多层底部电极-CN202080057836.9在审
发明人： B·多利斯;T·苏万纳斯里;N·马查克;P·哈什米 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供了一种用于包含磁性隧道结(MTJ)的器件的多层底部电极，该多层底部电极从下到上包括具有第一直径并且由第一底部含电极金属层的剩余部分构成的基段，具有第二直径并且由第二底部含电极金属层的剩余部分构成的中段，具有第三直径并且由第三底部含电极金属层的剩余部分构成的上段，其中，第一直径大于第二直径，第三直径等于或小于第二直径。每个多层底部电极的较宽基段防止所得底部电极的倾斜和/或弯曲。由此提供稳定的底部电极。
mtj 器件多层底部电极

[发明专利]具有底部电极的RRAM单元-CN201510442796.0有效
发明人：宋福庭;徐晨祐;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有底部电极的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元及相关形成方法，底部电极提供RRAM单元的有效切换。在一些实施例中，RRAM单元具有由间隔件和底部介电层围绕的底部电极。底部电极、间隔件和底部介电层设置在由下部层间介电(ILD)层围绕的下部金属互连层上方。具有可变电阻的介电数据存储层位于底部介电层和底部电极之上，且顶部电极设置在介电数据存储层上方。间隔件的放置将随后形成的底部电极窄化，从而提高RRAM单元的切换效率。
底部电极底部介电层间隔件介电数据存储层电阻式随机存取存储器金属互连层顶部电极可变电阻下部层窄化

[实用新型]干刻蚀底部电极及干刻蚀装置-CN201120453529.0有效
发明人：董云;彭志龙 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种干刻蚀底部电极及干刻蚀装置，主要是为了改善干刻蚀工艺质量而设计。本实用新型所述干刻蚀底部电极，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。本实用新型通过将现有的立方体结构的支撑凸起改为半球形结构支撑凸起，将干刻蚀底部电极与置于其上的玻璃基板之间的面接触改为点接触，大大减小了干刻蚀底部电极与玻璃基板的接触面积，减小了接触区域和非接触区域的温度差异
刻蚀底部电极装置

[实用新型]底部电极可调的电煅炉-CN200720200929.4有效
发明人：彭勇;宁前进;包崇爱 -专利权人：贵阳铝镁设计研究院
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： F27D11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种底部电极可调的电煅炉，它包括上部吊钩电极(1)、电煅炉炉体(2)，其特征在于：在电煅炉炉体(2)的下部有下部石墨电极(4)，在下部石墨电极(4)的下端有电极顶推机构(5)。本实用新型结构简单、操作方便，可靠，能够有效地调整电煅炉下部电极的工艺及结构，适应多原料及多产品的煅烧要求，调整电煅炉内高温区的分布，使整个电煅炉系统达到最佳运行状态。
底部电极可调电煅炉

[实用新型]直流电弧钢包炉底部电极-CN97249763.3无效
发明人：范光前;潘毓淳;万天骥;仇永全;朱荣 -专利权人：北京兰斯节能技术开发中心
申请日： 1997-11-28 - 公布日： 1999-10-27 - 主分类号： F27D11/10 文献下载
摘要：一种直流电弧钢包炉的可分离的底部电极装置,用于钢包的精炼过程的加热。本实用新型采用包括前导电电极(3)导电接触装置(10),和可移动的后导电电极装置(2),前电极镶于包衬内,接触装置固定包外壳,后电极装置固定在钢包基座上,利用弹簧和液压压紧装置使后电极压紧导电接触装置导电,底部电极可设二个,底电极放在钢包底部可用一个电极。
直流电弧钢包底部电极

[发明专利]形成底部电极和相变电阻的方法-CN201110180750.8有效
发明人：张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种形成底部电极和相变电阻的方法，包括：提供基底；在基底上形成具有底部电极的第一介质层，底部电极的表面与第一介质层的表面相平；在底部电极上依次形成中间层和帽层，覆盖底部电极；以帽层为掩膜对中间层进行离子注入，在中间层形成具有掺杂离子的外侧部、外侧部之间的中间层为中间部；去除帽层和外侧部；以中间部为掩膜刻蚀底部电极，去除未被中间部遮盖的部分高度的底部电极，在剩余的底部电极和第一介质层之间形成凹槽；去除中间部；在凹槽内形成第二介质层，第二介质层的表面与第一介质层的表面相平；在剩余的底部电极上形成相变电阻。
形成底部电极相变电阻方法

[实用新型]等离子熔化炉底部溶液出口电极-CN201922347711.7有效
发明人：张俊杰;布杨耶夫;马腾才 -专利权人：力玄科技（上海）有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了等离子熔化炉底部溶液出口电极，包括上盖本体、插接体、电极，所述上盖本体和插接体为用石墨一体式制成的圆柱体；所述插接体为空心圆柱体；所述的上盖本体的直径大于插接体的直径；所述上盖本体的顶部设置有向下凹陷的圆锥面本实用新型，具有结构简单、重量轻，有效延长电极使用寿命，极大的减少漏液现象的发生，安全、高效的优点。
等离子熔化炉底部溶液出口电极

[发明专利]具有双层底部电极的相变存储器-CN200780037900.1无效
发明人：刘峻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-08-23 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种PCRAM单元具有高电阻率底部电极盖以在所述单元与所述底部电极之间的界面附近提供部分加热，从而防止非晶GST区与所述底部电极分离，并降低编程电流要求。
具有双层底部电极相变存储器

[发明专利]带有屏蔽电极的底部源极沟槽MOSFET-CN202210920216.4在审
发明人：雷燮光;马督尔·博德;管林鹏;张磊 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种改良的反向场效应晶体管半导体器件及其制造方法可以包括位于底部的源极层和设置在半导体衬底顶部的漏极，以及源极层和漏极区之间的垂直传导通道，该沟槽由设置在衬有绝缘材料的栅极沟槽中的沟槽栅电极控制。屏蔽电极从屏蔽沟槽中的源极层向上延伸，用于电短路源极层和本体区，其中屏蔽结构向上延伸至重掺杂漏极区，并与重掺杂漏极区绝缘，以用作屏蔽电极。
带有屏蔽电极底部沟槽 mosfet

[发明专利]相变存储器、底部电极及其制作方法-CN201010223482.9有效
发明人：何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器、底部电极及其制作方法，其中底部电极的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有柱形图形的铸模层；在所述铸模层的垂直外表面形成环柱状的侧壁电极；在所述侧壁电极的外表面形成绝缘的支撑侧壁本发明所形成的底部电极与相变层具有较小的接触面积，同时能够避免在相变存储器的制作过程中，从半导体衬底脱落。
相变存储器底部电极及其制作方法

[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法-CN201010503848.8有效
发明人：李凡;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变存储器底部电极的制作方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层、以及位于第一绝缘层中的导电插塞；在导电插塞上形成柱状金属电极以及位于其上的锥台状掩模体；在第一绝缘层、金属电极以及掩模体表面形成第二绝缘层，并使得所述第二绝缘层暴露出锥台状掩模体的顶部台面；以第二绝缘层为掩模依次刻蚀锥台状掩模体以及部分柱状金属电极，形成凹形槽；其中刻蚀后剩余的金属电极呈凹形，作为底部电极；向所述凹形槽中填充绝缘材料，形成第三绝缘层；暴露出所述底部电极。本发明易于调整最终形成的金属电极中环形电极孔的深宽比以及环壁厚度。方法简单、并提高了器件的可靠性。
相变存储器底部电极制作方法

[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法-CN201010248155.9有效
发明人：李凡;洪中山;李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器底部电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介电层，所述第一介电层中形成有导电插塞；在所述第一介电层与导电插塞上形成第一牺牲层结构，所述第一牺牲层结构部分覆盖导电插塞本发明相变存储器底部电极的制作方法采用自对准技术形成小于光刻工艺最小线宽的硬掩膜，所述硬掩膜用于刻蚀形成底部电极，这使得所述底部电极与相变层的接触面积大幅缩小。
相变存储器底部电极制作方法

[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法-CN201010292502.8有效
发明人：李凡;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器环形电极的制作方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层、及位于第一绝缘层中的导电插塞；在导电插塞上形成柱状体，所述柱状体包括金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体；在柱状体未覆盖的第一绝缘层上形成第二绝缘层本发明相变存储器环形电极的制作方法，减小了制作难度。
相变存储器底部电极制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top